近日，福建省福芯電子科技有限公司（以下簡稱福芯電子）總經理景蘇鵬一行與閩都創新實驗室氮化鎵制備與應用團隊到江西譽鴻錦芯片科技有限公司（以下簡稱譽鴻錦）進行參訪交流活動。

福芯電子總經理景蘇鵬一行、閩都創新實驗室團隊參觀了譽鴻錦生產線，譽鴻錦董事長閆懷寶熱情接待并親自講解了譽鴻錦關于氮化鎵（GaN）系列材料的外延生長、電子器件和光電器件結構外延片、電子器件和光電器件芯片流片和模組、芯片和模組的封裝等器件全產業鏈的研發生產情況。座談會上，景蘇鵬介紹了福芯電子近年來的發展情況，閩都創新實驗室負責人介紹了實驗室基本概況，希望下一階段三方在第三代化合物半導體GaN的工藝發展及行業應用領域進行深入合作交流。

下一步，福芯電子將按照“集團IC設計服務平臺”的發展定位，堅持創新引領發展，推動傳統產品轉型升級，積極布局第三代化合物半導體GaN應用領域。聚焦福建省產業內循環，以IC設計為著力點、方案服務為抓手，以開放式的平臺模式與科研機構供應鏈資源進行創新合作，實現創新鏈全面賦能電子信息集團產業發展。

閩都創新實驗室是中國福建光電信息科學與技術創新實驗室，是首批四家福建省創新實驗室之一，聚焦國家、福建和福州光電信息科技與產業發展重大戰略需求。

江西譽鴻錦總投資50億元，一期已投入9億元，形成年產能4英寸60萬片，年產值30億人民幣規模。二期投入41億元，建成后將形成年產能4英寸300萬片。主要產品有高性能肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發光二極管（UVC-LED）等，這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。